| Home / lib / E_Engineering / EO_Optical devices / | ||
Shvarc, Gotlib, Kristapson. Opticheskie registriruyushchie sredy (Riga, 1976)(ru)(T)(87s)_EO_.djvu |
|
Size 1.8Mb Date Jun 22, 2005 |
LiNbO3—Си в зависимости от энергии и
мощности импульса лазера...
Кристалл монодоменизируется при мгновенном приложе-
приложении электрического поля Е большего, чем коэрцитивное поле Ес...
Во
время действия импульса дифракционная эффективность резко
возрастает, а затем падает до величины т] = 2%...
Этот эффект был проде-
продемонстрирован на барий-стронциевом нио-
ниобате Такстером и Кестигджианом [4.76]...
Поле, антипараллельное направлению спонтанной поляризации,
ускоряло рост An, и наоборот...
Возможность улучшения голографических параметров при
записи голограмм во внешнем электрическом поле значительно
расширяет круг электрооптических кристаллов, в которых эта
запись может быть осуществлена...
Поле пространственных зарядов Es,
соответствующее этим переносам электронов, противодействует
приложенному полю Еа...
Напротив, поле Ei, одинаковое по величине с полем
Еа, но имеющее противоположное направление, дает амплитуду
дифракционного члена n3R(Ei + Es)AE, т...
Значение, близкое
к этому, до сих пор было получено только в (Sr,Ba)Nb2O6 (см...
Аморфные
полупроводники
К настоящему времени почти все опыты по оптической записи
в аморфных полупроводниках проведены на халькогенидных
(когда в состав соединения входит один или несколько халько-
генидов: S, Se или Те) стеклах или пленках...
Общие представления о соединениях и их свойствах
109
Следуя общему принципу данной книги, мы в настоящей
главе не будем касаться особенностей и подробностей фундамен-
фундаментальных свойств (физических и химических) аморфных полупро-
полупроводников, а ограничимся лишь их перечислением...
б) трехдименсионные сетеобразные структуры:
Ge—Sb—Se, Ge—As—Se, Si—Ge—As—Те,
As—Se—Те, As2S3—As2Te3, Te2Se—As2Te3
V2OS P2O5 MnO A12O3 SiO2
V2O5 P2OS BaO CaO A12O3 SiO2
V2OS GeO2 BaO FeO A12O3 SiO2
V2O5 PbO Fe2O3 TiO2 B2O3 BaO
SiO2, A12O3, ZrO2, Ta2O3, Si3N4, BN .....
Для выявления перспективных соединений для оптических
запоминающих устройств Овшинский [5.65, 5.66] исследовал
широкий класс следующих аморфных соединений:
Gei5TesiSb2S2 TesoGei4Bi2In2S2
Te85Gei5 TemAsioGemSbm
Te9SSis
5...
| © 2007 eKnigu | ||