| Home / lib / E_Engineering / EO_Optical devices / | ||
Kuz'minov. Segnetoe'lektricheskie kristally dlya upravleniya lazernym luchom (Nauka, 1982)(ru)(L)(T)(200s)_EO_.djvu |
|
Size 5.4Mb Date Jun 22, 2005 |
существует ряд расплавов ниобата бария-натрия, из кото-
которых можно получить кристаллы, не содержащие полос
роста, причем три из них —Ва2 tiNa0 8Nb4 9OU 8 [27],
Ва2 nNa0 TzNbj o6Oi512 [51] и Ba2 04Na0 92Nb50I5 [32] предла-
предлагаются авторами в качестве составов, обладающих коп-
груэнтным плавлением...
Другим выходом из этого положения является
использование толстостенных платиновых тиглей [41, 63]...
Кписталпы, выращенные с «большим» температурным
градиентом (вариант 1) растрескивались и имели замет-
заметные и нерегулярные полосы роста Кристаллы, содержа-
содержащие области, свободные от ростовых полос и рассеиваю-
рассеивающих центров, были получены при небольших температур-
температурных градиентах (условия 2 и 4)
Исследование связи ростовой полосчатости с верти-
вертикальным температурным градиентом (см гл...
Кроме то-
того, использование печи сопротивления создает трудности
для наблюдения за ростом кристалла; регулировка тем-
температуры в процессе выращивания также осложнена вслед-
вследствие большой тепловой инерционности системы...
Причина явления заключается в выделении
скрытой теплоты кристаллизации, которая вследствие
низкой теплопроводности кристаллов не успевает отво-
отводиться от фронта кристаллизации...
Избавляться от изменения состава по ди-
диаметру кристалла и вызываемой этим дополнительной
тенденции к растрескиванию можно поддержанием в про-
процессе роста плоского фронта кристаллизации...
В первом иптервале — от температуры кри-
кристаллизации до 600 °С скорость охлаждения должна под-
подчиняться закону 200/й2 К/ч, где R — радиус кристалла в
см, а во втором от 600 до 400 °С по закону 150/Я2 К/ч...
п.) не устраняют полностью дефектность
выращенных кристаллов...
очень близкие к свойствам кристаллов из стехиометриче-
ского расплава...
Оно зависит от плотности
двойниковых блоков и их рас-
распределения, определяемых при-
присутствием кристаллических де-
дефектов и примесей в кристал-
кристалле Меньшие нагрузки мало или
совсем не влияют на двойнико-
двойниковую структуру, а приложение
напряжений выше оптимально-
оптимального значения только увеличивает
плотность двойниковых блоков...
| © 2007 eKnigu | ||