| Home / lib / E_Engineering / EO_Optical devices / | ||
Kardona M. (red.) (_Cardona_) Rassejanie sveta v tverdyh telah (Mir, 1979)(ru)(200dpi)(L)(T)(197s)_EO_.djvu |
|
Size 4.4Mb Date Jun 22, 2005 |
связанными фсшон-плазмонными модами L+, для GaAs при комнатной темпе-
температуре [4.11]...
Эти авторы дали
формулу, которая приводит к правильному значению для ю вблизи о»+ или
ш— Большое затухание плаамона Г приводит к значительному рассеянию
вдали от ш^ и ш-; в таком случае их результат дает неправильную форму
спектра...
Исследование связанных плазмон-фононных
мод в зависимости от концентрации электронов выполнено
в InSb с использованием излучения лазера с длиной волны
5,39 мкм [4.20]...
Для элек-
электрона или дырки этот коэффициент больше, чем для плазмонов...
Они показали, что энер-
энергия В-переходов несколько уменьшается с увеличением энергии
связи дырки с акцептором...
Схема экергетических уровней для акцепторных переходов [4.30];
Электронное комбинационное рассеяние
30 4Q 50 60 ~70 Z0 30 40 50 60 70
Энергия, мзВ
Фиг...
Позже Райт и Мурадян сообщили о наблю-
наблюдении таких же переходов для донорных центров As и Sb в Si
и Те в AlSb [4.34]...
Так,
в кристаллах CdS нет переходов между уровнями, расщеплен-
расщепленными долинно-орбитальным взаимодействием, поскольку зона
проводимости имеет минимум при k = 0, но в этих кристаллах,
легированных С1, которые образуют донорные уровни, Генри и
1S4
Глава 4
Haccay [4.44] наблюдали рассеяние света, обусловленное пере*
ходами 1S->2S и IS -> 2Р* между уровнями доноров [4.44]...
Для рассеяния при £-конфигурации —е, || [ПО] и ег II
[НО] мы нашли, что квадратная скобка в выражении D.34)
равна (|i....
Тогда матрица
" " ' аО D-36)
в этом представлении имеет ту же форму, что и матрица в ра-
работе Дрессельхауза и др...
[4.461 и равны соответственно 2,25
и 9,36 для Si [4,48] и 25,9 и 33,7 для Ge [4.49]...
При-
Приведенная здесь интерпретация перехода В предполагает нали-
наличие некоторых дополнительных данных...
Требуется проведение дополнительных теоретических и
экспериментальных работ по акцепторным переходам...
Интенсивность можно записать раз-
Электронное комбинационное рассеяние
201
личными способами, один из которых дает
D.45)
Последний множитель в выражении D.45) показывает, что ме-
между двумя амплитудами для перехода g—>e в спектре комби-
комбинационного рассеяния света имеет место интерференция, а имен-
именно между прямым переходом первого порядка с амплитудой Те
и непрямым переходом второго порядка q—t-p-*-e с амплиту-
амплитудой Tp(E — EQ)-*V...
| © 2007 eKnigu | ||